型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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描述:
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
2747
-
描述:
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
8524
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描述:
RF JFET Transistors DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB
4392
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描述:
350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
4861
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描述:
RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
7387
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描述:
600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
8294
-
描述:
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V
2094
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描述:
Trans FET 125V 12A GaN HEMT
4537
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描述:
DIODE SCHOTTKY 1.2kV 19A TO252-2
8435
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描述:
DIODE SCHOTTKY 1200V 5A
5628
-
描述:
Enhanced High Power RF LDMOS FETs
7789
-
描述:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 22 A, 1 kV, 0.12欧姆, 15 V, 2.1 V
6052
-
描述:
IC AMP 5.5GHZ-8.5GHZ 30W
7780
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描述:
IC AMP 5.5GHZ-8.5GHZ 25W
8268
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描述:
开发板, CGD12HB00D差分收发器, 双通道
4300
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描述:
RF MOSFET HEMT 40V DIE
3429
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描述:
Trans FET N-CH 84V GaN HEMT
2242
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描述:
射频开发工具 Test Board without GaN HEMT
5387
-
描述:
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 395 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, 15 V, 2.5 V
2828
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描述:
二极管, 碳化硅肖特基, Z-Rec Series, 单, 650 V, 35 A, 34 nC, TO-220
5078
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描述:
DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2
9543
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描述:
DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2
6601
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描述:
DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
2100
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描述:
DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
6266
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描述:
DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263
2255
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描述:
RF MOSFET HEMT 440199
3521
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描述:
Trans FET N-CH 125V 18A GaN HEMT
9001
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描述:
射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
1343
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